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SOLUTIONS MANUAL for Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition by Matthew McCluskey, Eugene Haller and Eugene Haller | All Chapters 1-12€29,99
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SOLUTIONS MANUAL for Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition by Matthew McCluskey, Eugene Haller and Eugene Haller | All Chapters 1-12
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Cours
Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition
Établissement
Dopants And Defects In Semiconductors 2nd Edition
Book
Dopants and Defects in Semiconductors, Second Edition
SOLUTIONS MANUAL for Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition by Matthew McCluskey, Eugene Haller and Eugene Haller ISBN 9781351977975 (All Chapters 1-12)
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Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition
Dopants and Defects in Semiconductors 2nd Edition
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, Dopants and Defects in Semiconductors
Second Edition
Matthew D. McCluskey and Eugene E. Haller
Solutions Manual
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1
,Chapter 1
1.1 Silicon density = 2.33 g/cm3.
1 mole = 28 g
(2.33 g/cm3)(1 mole / 28 g)(6.02×1023 / mole) = 5×1022 cm-3
8/a3 = 5×1022 cm-3
a = 5.5×10-8 cm = 5.5 Å
2 3
d a 2 42 a 2 4 a 2 42 a = 2.39 Å
4
1.2 Germanium a = 5.66 Å = 5.66×10-8 cm.
Density = 8/a3 = 4.4×1022 cm-3
1.3 Strontium titanate (SrTiO3) has the perovskite structure.
(a) Unit cube with the atoms:
(b) Each Ti atom is bonded to 6 O atoms.
(c) Molecular mass = 183.49u
a = 3.9 Å
Number density = 1/a3 = 1.69×1022 cm-3
(1.69×1022 / cm3)(183.49 g / mole)(1 mole / 6.02×1023) = 5.14 g/cm3
1.4 Plot E versus kx along the [100] direction, up to a maximum energy of 52π2/2ma2.
2
, 2 2
2 2 2
2 2
E k x nx k y ny kz nz
2m a a a
2 2
1. nx = ny = nz = 0, E kx
2m
2 2 22
2. nx = 0, ny or nz = ±1, E kx 4
2m 2ma 2
2
2 2
3. nx = ±1, ny = nz = 0, E kx
2m a
1.5 An intrinsic semiconductor has no defects, or few enough to not affect its properties
significantly. An extrinsic semiconductor’s properties are determined by defects.
1.6 f E E E / kT
1 1
4.0 = 0.018
e F
1 e 1
1.7 The effective mass is the largest for the heavy-hole band.
3
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